美国雷神公司联合英国纽卡斯尔大学共同研究碳化硅（SiC）和二氧化硅（SiO2）的接口特性，以提升SiC电子器件性能，特别是雷神公司自己的SiC互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺。SiC和二氧化硅的接口特性对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能具有非常重要的影响。两种半导体材料接口处的缺陷会对MOSFET所能承载的阈值电压和最大电流造成影响。
雷神公司的约翰·肯尼迪表示：“接口处的缺陷成为碳化硅器件大面积应用的主要阻碍，如阻碍了其在宇航、汽车、铁路和能源等领域的应用，而这些领域对高性能器件的需求却在不断上涨。”
对于接口特性的详细研究可使雷神公司通过优化制造工艺来降低缺陷出现的概率，不仅为其功率模块、产品和系统带来具有更高性能的器件，还为使用雷神公司先-工工艺的客户带来好处。
未来，该项目将发布一系列研究成果，包括SiC/SiO2接口特性的表征、缺陷对MOSFET性能影响的建模、新型氧化物结构和工艺的短循环试验、最佳氧化物结构的全CMOS晶圆集成、研究过程中工艺的不断优化和性能的不断提升等。
肯尼迪总结道：“与纽卡斯尔大学合作的该项研究是我们除正常工作外的额外研究。我们的代工厂仍对全球碳化硅功率器件的研发项目提供支持。处于产品研发周期任何阶段的客户都可从我们的经验和改进的能力中受益，实现从SiC器件和工艺能力研发到满负荷生产的全过程。
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